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2021-10-08 22:08 |
三星在举办的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，三星代工业务总裁兼负责人Siyoung Choi博士介绍了其半导体工艺的研发和量产情况，公布了新版的技术路线图。这表明三星将继续开发先进半导体制造技术，与台积电（TSMC）和英特尔竞争晶圆代工市场。 md $[Bs9
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为了在半导体工艺上赶上台积电，三星在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，分为早期的3GAE以及3GAP。虽然在今年上半年已成功流片，但由于技术难度较高，第一代3nm工艺已推迟到2022年上半年量产，第二代3nm工艺将会在2023年量产。MBCFET多桥-通道场效应晶体管工艺是GAAFET工艺的全新形式，不但保留了GAAFET工艺的优点，而且兼容之前的FinFET工艺技术，新版技术路线图中的2nm制程节点（MBCFET）将于2025投入生产。 b]RCe^E1
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三星表示，与原来的5nm工艺相比，首个采用采用MBCFET工艺的3nm GAA制程节点的芯片面积减少了35%，性能提高30%或功耗降低50%。除了功耗、性能和面积（PPA）上的改进，随着制程技术成熟，3nm工艺的良品率将会接近4nm工艺。竞争对手之一的英特尔在Intel 7/4/3制程节点仍依赖FinFET，最早会在2024年才转向新型晶体管（称为RibbonFET）。另一个竞争对手台积电在N4和N3制程节点仍使用FinFET，要到N2制程节点才引入GAA工艺，大概会在2024年投入生产。 V EY !0PIj
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除此以外，三星还介绍了用于CIS、DDI、MCU的17LPV工艺，即Low Power Value的17nm工艺。这是28nm工艺的演进版，在28nm工艺基础上加入了14nm工艺使用的FinFET工艺技术，以相对低成本享受到新的技术优势。与原来的28nm工艺相比，芯片面积可减少43%，性能提高39%或功耗降低49%。 >o .u,
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以上是原文 ^e@c
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很多消费者惊讶发现，三星s21ultra在某东月销量2万台，价格1.1万元。 gp- wl u4
去年三星在中国销售680-720万台手机，今年可能达到750万台，几年后每年8、9百万台。 lG# &Pv>-
那个因电池爆炸门在中国急剧销量下降的三星又回暖了！ jLr8?Hyf
三星s系列年销量1.05亿台，s21年销量估4.6千万台。 Byldt
07-09年，三星在中国年销售9千万台手机，几乎占中国市场份额1/3。 bG ^eP :r
后来山寨三星狂风飚起，真三星开始走下坡。 q 4 Ye
中国年产2.5亿台千元以下山寨三星，出口2.2亿台；年产4千万台千元以上山寨三星，出口2.25千万台。 X z]}cRQ[
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山寨三星w2015生产10年？刚开始年产80万台，价格3.2千元。现在年产30万台，价格1.7千。看来真的生产到2024年，价格800元。 山寨三星w2018刚出时4.2千元，现在2.8千元，炙手可热。 山寨苹果1.3-1.68千元，年产5千万台，出口2.8千万台。 学生党、打工族最爱，公众场合装b。 |
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